MBRB10200 的产品描述
MBRB10200 TO-263 是一款专为中高压高频低损耗应用设计的高性能共阴极双肖特基二极管，适用于需要快速响应和低正向压降的电力电子电路。
he心参数与性能
电压与电流规格：zui大重复峰值反向电压为 200V，zui大正向平均整流电流达 10A，可承受 110-150A 的正向不重复浪涌电流，适用于中高压、中等电流场景。
低损耗特性：典型正向压降低至 0.9V，有效降低导通损耗；反向漏电流≤10μA，高温下（125℃）漏电流≤20mA，确保高可靠性。
高频开关能力：反向恢复时间（trr）趋近于零，显著降低高频开关损耗，适用于 50kHz 以上的中高压开关电源、逆变器等场景。
封装与物理特性
TO-263 封装：采用表面贴装型 TO-263封装，尺寸约为 10.3mm?9.5mm?4.6mm，引脚间距 4.57mm，金属背板设计优化散热性能，热阻（RθJC）低至 2℃/W。
共阴极双二极管结构：三引脚配置，适用于半桥、全桥等多种拓扑结构，简化电路设计。
环境适应性：工作结温范围 - 65℃至 %2B 150℃
MBRB10200 的应用领域
工业设备：中高压电机驱动、变频调速系统的高效能量管理。
新能源领域：中小型太阳能逆变器、储能系统的中高压整流与能量转换。
汽车电子：车载高压充电器、DC-DC 转换器的快速开关与反向保护。
消费电子：服务器电源、通信设备的中高压整流与续流。
医疗设备：医疗电源模块的低损耗整流与电源管理。
LED 驱动：高压 LED 照明系统的高效整流与恒流控制。
无线充电：高压无线充电接收器的同步整流与能量转换。
MBRB10200 的产品优势
中高压性能：200V 反向耐压能力，满足工业设备、新能源等中高压应用需求。
低正向压降：典型 VF=0.9V，相比传统硅二极管降低 30% 以上导通损耗。
高可靠性：采用 GPP 芯片和钝化工艺，增强抗冲击能力，通过 UL94 V-0 阻燃封装ren证，满足严苛环境下的长期使用。
兼容性设计：兼容 TO-220AB 等封装，便于替换升级；支持回流焊和波峰焊，符合 JESD 22-B106 焊接标准（275℃/7 秒）。
MBRB10200 的典型技术参数表
项目 数值 单位 测试条件
zui大反向电压（VRRM） 200 V -
正向平均电流（IF (AV)） 10 A Tc=133℃（双二极管总和）
正向浪涌电流（IFSM） 110-150 A 5μs 正弦脉冲，Tj=25℃
正向压降（VF） 0.9-0.95 V @5A
反向漏电流（IR） ≤10（25℃）/≤20（125℃） μA/mA @200V
反向恢复时间（trr） ≈0（肖特基特性）
ns -
工作温度范围 -65~%2B150（%2B175℃可选） ℃
封装类型 TO-263（D?PAK） - 三引脚，共阴极结构
注意事项
建议在散热良好的 PCB 布局中使用，确保结温不超过 150℃
