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  • 供应8N65 TO-220 650V 8A N沟道高压MOS管
供应8N65 TO-220 650V 8A N沟道高压MOS管

品牌:SZXYL

型号:8N65

封装:TO-220

电流:8A

电压:650V

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8N65 TO-220he心产品概述
8N65 TO-220 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TO-220 通孔封装,专为 中高压、大电流开关应用 设计。凭借 650V 漏源电压、8A 连续漏极电流 和 低导通电阻,它在工业电源、电动车充电桩及开关电源领域表现卓越。
8N65 TO-220技术参数与性能优势
参数 数值 应用价值
沟道类型 N 沟道增强型 适用于高端开关(High-Side Switching)、同步整流及功率因数校正(PFC)应用。
漏源电压(Vdss) 650V(zui大值) 支持宽电压输入,可兼容多种高压电源轨。
连续漏极电流(Id) 8A(Tc=25℃) 满足大功率负载驱动需求,如工业电机控制、光伏逆变器、电动汽车充电模块。
导通电阻(Rds (on)) 0.56Ω(典型值,@Vgs=10V) 低损耗设计,降低发热,提升系统能效,适用于高频开关电路。
阈值电压(Vgs (th)) 2-4V(@Id=250μA) 支持逻辑电平或专用驱动 IC 直接驱动,简化设计流程。
工作温度范围 -55℃至 %2B 150℃ 工业级温度适应性,可用于汽车电子、工业自动化等恶劣环境。
封装类型 TO-220(通孔安装) 紧凑尺寸(10.16mm?4.57mm?4.57mm),支持标准散热器安装,提升散热效率。
8N65 TO-220关键特性与应用场景
技术特性
高效能设计:
低导通电阻显著降低传导损耗,提升电源转换效率。
低栅极电荷(Qg=12-28nC) 和 低输入电容(Ciss=1240-1400pF) 实现快速开关(<100ns),支持高频工作。
可靠性设计:
雪崩能量耐受,可承受电压尖峰和瞬态过流,适用于感性负载。
兼容性与灵活性:
逻辑电平驱动,兼容多种控制信号源。
支持回流焊与波峰焊工艺,适合自动化生产线,降低组装成本。
8N65 TO-220典型应用场景
工业与能源:
AC-DC 开关电源:作为初级开关管,在服务器电源、工业控制电源中实现高效电能转换。
逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、电机驱动变频器,支持宽电压输入与高功率输出。
电动车充电桩:作为功率开关元件,确保充电过程的高效率与稳定性。
消费电子与家电:
适配器与充电器:在笔记本电脑适配器、智能手机快充中优化能效。
白色家电控制:驱动空调压缩机、洗衣机电机等大功率负载,提升系统可靠性。
汽车电子:
车载充电机(OBC):支持高压直流充电,满足电动车快速补能需求。

引擎控制单元(ECU):部分型号用于汽车传感器接口与电源管理。

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