20N65 TO-220
20N65 TO-220he心产品概述
20N65 TO-220 是一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 通孔封装，专为 中高压、大电流开关应用 设计。
凭借 650V 漏源电压、20A 连续漏极电流 和 低导通电阻，它在工业电源、高压逆变器及电动汽车充电系统中表现卓越。
20N65 TO-220的技术参数与性能优势
参数 数值范围 应用价值
沟道类型 N 沟道增强型 适用于高端开关（High-Side Switching）、同步整流及功率因数校正（PFC）应用。
漏源电压（Vdss） 650V（zui大值） 支持宽电压输入，可兼容工业母线（如 400V DC）及高压电源轨（如 500V 光伏系统）。
连续漏极电流（Id） 20A（Tc=25℃） 满足大功率负载驱动需求，如工业电机控制、高压变频器、电动车充电桩模块。
导通电阻（Rds (on)） 0.15-0.42Ω（典型值，@Vgs=10V） 低损耗设计，降低发热，提升系统能效，适用于高压 LLC 谐振转换器、电力电子变压器。
阈值电压（Vgs (th)） 2-4.5V（@Id=250μA） 支持逻辑电平或专用驱动 IC 直接驱动，简化设计流程。
工作温度范围 -55℃至 %2B 150℃ 工业级温度适应性，可用于汽车电子、高压输电设备等恶劣环境。
封装类型 TO-220（通孔安装） 紧凑尺寸，支持标准散热器安装，提升散热效率。
20N65 TO-220的关键特性与应用场景
技术特性
高效能设计：
低导通电阻显著降低传导损耗，提升高压电源转换效率。
低栅极电荷（Qg=37-75nC） 和 低输入电容（Ciss=1240-1650pF） 实现快速开关（<150ns），支持高频工作。
可靠性设计：
雪崩能量耐受，可承受电压尖峰和瞬态过流，适用于感性负载。
兼容性与灵活性：
逻辑电平驱动，兼容多种控制信号源。
支持回流焊与波峰焊工艺，适合自动化生产线，降低组装成本。
20N65 TO-220的典型应用场景
工业与能源：
高压 AC-DC 开关电源：作为初级开关管，在服务器电源、工业控制电源中实现高效电能转换。
高压逆变器与变频器：用于太阳能逆变器、电机驱动变频器，支持宽电压输入与高功率输出。
电力传输与分配：作为开关元件，在高压直流输电系统中实现稳定的电力管理与控制。
消费电子与家电：
高功率适配器与充电器：在游戏本适配器、电动工具充电器中优化能效。
白色家电控制：驱动空调压缩机、洗衣机电机等大功率负载，提升系统可靠性。
汽车电子：
车载充电机（OBC）：支持高压直流充电，满足电动车快速补能需求。
