一、5N65 TO-220 N 的he心产品标题
5N65 TO-220 N 沟道高压 MOSFET｜650V 耐压｜5A 连续电流｜低至 2.1Ω 导通电阻｜TO-220 直插封装
二、5N65 TO-220 N 的he心功能与技术优势
高压大电流处理能力
漏源电压（Vdss）：650V，适用于高压开关电源、逆变器及工业控制电路，可耐受电网波动与感性负载瞬态冲击。
连续漏极电流（Id）：5A（25℃时），脉冲电流可达 20A，满足短时峰值负载需求。
导通电阻（Rds (on)）：
典型值 2.1Ω~2.5Ω（Vgs=10V 时）。
温度特性：Rds (on) 随结温升高而增大，设计时需预留 20% 裕量。
高频低损耗设计
栅极电荷（Qg）：典型值13.63nC~15nC，支持 20kHz 以上高频 PWM 应用，降低驱动损耗。
反向传输电容（Crss）：7pF~13pF（典型值），减少米勒效应干扰，提升开关速度。
dv/dt 耐受能力：≥5V/ns，抑制电压尖峰，增强电路稳定性。
全功能保护机制
雪崩能量（Eas）：典型值220mJ~310mJ，耐受感性负载的瞬态电压冲击。
过热保护：结温（Tj）≥150℃时自动限制功耗，温度降低后恢复，避免热失控。
反向电流保护：内置体二极管，支持续流功能。
三、5N65 TO-220 N 的关键技术参数表
属性项 参数描述
封装形式 TO-220 直插式，带金属散热片，散热参数：RθJA=63℃/W，RθJC=2.5℃/W
栅源电压（Vgs） ?30V，兼容逻辑电平驱动
阈值电压（Vgs (th)） 2-4V，确保可靠导通与关断
输入电容（Ciss） 550-700pF，影响驱动电路设计
输出电容（Coss） 55-65pF，降低输出端高频噪声
工作温度范围 -55℃~%2B150℃，存储温度 - 65℃~%2B150℃
ESD 防护能力 ?2kV（接触放电），符合行业标准
焊接温度 300℃（10 秒内），兼容波峰焊与回流焊工艺
四、5N65 TO-220 N 的封装与应用场景
封装特性
物理设计：TO-220 封装为直插式，金属散热片直接连接漏极（D），支持大电流场景下的高效散热。
引脚布局：标准三端设计（G 栅极、D 漏极、S 源极），兼容传统功率器件的 PCB 布局，便于替代升级。
散热优化：
功耗计算示例：Vds=400V，Id=5A，Rds (on)=2.1Ω 时，导通损耗为 5??2.1=52.5W，需通过散热片将结温控制在≤150℃。
PCB 建议：漏极走线宽度≥3.5mm，源极大面积铺铜，采用 70μm 铜箔提升散热效率。
5N65 TO-220 N 的典型应用领域
开关电源与逆变器：
AC-DC 转换：作为 PFC 电路或半桥拓扑的开关管，支持 650V 母线电压。
DC-DC 升压 / 降压：如将 48V 输入转换为 400V 输出，适用于储能变流器、激光驱动电源。
电机驱动与工业控制：
高压伺服电机控制：驱动 300V 供电的无刷直流电机，利用内置体二极管实现续流。
工业自动化：PLC 电源模块、高压电磁阀驱动，耐受电压瞬变与电磁干扰。
汽车电子：
车载逆变器：将 48V 电池转换为 220V 交流电，为车载设备供电。
电动车 OBC：作为高压侧开关，需通过 AEC-Q101 ren证。
高压测试与脉冲电路：
高压发生器：产生 500V 以上脉冲信号，用于绝缘测试或医疗设备。
固态继电器：作为高压开关元件，支持 ns 级快速响应。
