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  • 供应4N65 TO-220封装  N沟道MOSFET
供应4N65 TO-220封装 N沟道MOSFET

品牌:SZXYL

型号:4N65 

封装:TO-220

电流:4A

电压:650V

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4N65 TO-220
一、4N65 TO-220的he心功能与技术优势
高压与大电流处理能力
漏源电压(Vdss):650V,适用于高压开关电源、逆变器及工业控制电路,可耐受电网波动与感性负载瞬态冲击。
连续漏极电流(Id):4A(25℃时),脉冲电流可达 16A,满足短时峰值负载需求。
导通电阻(Rds (on)):
典型值 2.1Ω~2.5Ω(Vgs=10V 时)。
温度特性:Rds (on) 随结温升高而增大(如 125℃时增加约 50%),设计时需预留 20% 裕量。
高频低损耗设计
栅极电荷(Qg):典型值14nC~75nC,支持 20kHz 以上高频 PWM 应用,显著降低驱动损耗。
反向传输电容(Crss):8pF(典型值),减少米勒效应干扰,提升开关速度(上升 / 下降时间 < 50ns)。
dv/dt 耐受能力:≥4.5V/ns,抑制电压尖峰,增强电路稳定性。
全功能保护机制
雪崩能量(Eas):典型值180mJ~276mJ,耐受感性负载的瞬态电压冲击。
过热保护:结温(Tj)≥150℃时自动限制功耗,温度降低后恢复,避免热失控。
反向电流保护:内置体二极管,支持续流功能。
二、4N65 TO-220的关键技术参数表
属性项 参数描述
封装形式 TO-220 直插式,带金属散热片,支持高效散热
栅源电压(Vgs) ?30V,兼容逻辑电平驱动(5V/3.3V 系统需外部上拉电阻)
阈值电压(Vgs (th)) 2-4V(典型值 3.5V),确保可靠导通与关断
输入电容(Ciss) 485-615pF(典型值),影响驱动电路设计(需匹配栅极电阻与驱动芯片)
输出电容(Coss) 57-66pF(典型值),降低输出端高频噪声
工作温度范围 -55℃~%2B150℃(工业级标准),存储温度 - 65℃~%2B150℃
ESD 防护能力 ?2kV(接触放电),符合行业标准
焊接温度 300℃(10 秒内),兼容波峰焊与回流焊工艺
三、4N65 TO-220的封装与应用场景
封装特性
物理设计:TO-220 封装为直插式,金属散热片直接连接漏极(D),支持大电流场景下的高效散热。
引脚布局:标准三端设计(G 栅极、D 漏极、S 源极),兼容传统功率器件的 PCB 布局,便于替代升级。
散热优化:
功耗计算示例:Vds=400V,Id=4A,Rds (on)=2.2Ω 时,导通损耗为 4??2.2=35.2W,需通过散热片将结温控制在≤150℃。
PCB 建议:采用 70μm 铜箔厚度,漏极走线宽度≥3mm,源极大面积铺铜降低阻抗。
4N65 TO-220的典型应用领域
开关电源与逆变器:
AC-DC 转换:作为 PFC 电路或半桥拓扑的开关管,支持 650V 母线电压。
DC-DC 升压 / 降压:如将 12V 输入转换为 48V 输出,适用于通信基站、储能设备。
电机驱动与工业控制:
高压电机控制:驱动步进电机或无刷直流电机,利用内置体二极管实现续流。
工业自动化:PLC 电源模块、伺服驱动器的高压侧开关,耐受电压瞬变与电磁干扰。
汽车电子:
车载逆变器:将 12V/24V 电池转换为 220V 交流电,为车载电器供电。
高压辅助系统:如电动车 OBC(车载充电机)、DC-DC 转换器,需通过 AEC-Q101 ren证。
高压测试与脉冲电路:
高压发生器:产生数千伏脉冲信号,用于绝缘测试或医疗设备。

激光驱动:作为 Q 开关的高压开关元件,支持 ns 级快速响应。

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