一、基本特性
2SA812是一种PNP型硅外延平面晶体管，采用SOT-23封装，体积小巧，适合紧凑的电路设计。
二、电气参数
额定值：
集电极-基极击穿电压（Vceo）为-60V，意味着在基极开路时，集电极与发射极之间可承受的反向电压为60V。
集电极-发射极击穿电压（Vceo）为-50V，表示在基极开路时，集电极与发射极之间可承受的反向电压为50V。
发射极-基极击穿电压（Veno）为-5V，即发射极与基极之间可承受的反向电压为5V。
连续集电极电流（Ic）为-100mA，表明晶体管在正常工作时，集电极可承受的连续电流为100mA。
峰值集电极电流（IcM）为-200mA，表示在短时间内，集电极可承受的电流为200mA。
热特性：
功耗（@TA=25?C）为200mW，即在环境温度为25?C时，晶体管的功耗为200mW。
结到空气的热阻（RMA）为290?C/W，意味着每消耗1W的功率，结温会升高290?C。
结到外壳的热阻（RAC）为190?C/W，表示每消耗1W的功率，结温与外壳温度的差值为190?C。
结到引脚的热阻（RAL）为210?C/W，即每消耗1W的功率，结温与引脚温度的差值为210?C。
直流电流增益：hFE范围为90至600（@VCE=-6V, Ic=-1mA），这表示在集电极-发射极电压为-6V、集电极电流为-1mA的条件下，晶体管的直流电流增益在90到600之间。
集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：在Ic=-100mA、IB=-10mA的条件下，其范围为-0.18V至-0.3V，说明在饱和状态下，集电极与发射极之间的电压降较低，有利于提高电路的效率。
基极-发射极电压（VBE）：在Ic=-1mA、VCE=-6V的条件下，范围为-0.58V至-0.68V，这是基极与发射极之间的正向导通电压，对于确定基极驱动电流具有重要意义。
转换频率（fr）：在Ic=-10mA、VCE=-6V的条件下，为180MHz，表示晶体管在该条件下能够处理的频率信号为180MHz，反映了其高频性能。
输出电容（Cob）：在VcB=-10V、Ic=0A、f=1MHz的条件下，为2.1pF，这是集电极与基极之间的电容，对高频信号的传输和放大有一定影响。
四、应用场景
2SA812晶体管具有广泛的应用领域：
音频放大器：2SA812其低失真和高可靠性使其成为音频放大器的理想选择，能够确保音频信号的高品质放大，适用于音响系统和功放设备等。
电源管理：2SA812凭借出色的耐压能力和稳定性，可用于稳压器和开关电源等电路，确保电源系统输出的稳定性和可靠性，为电子设备提供稳定的电源支持。
电机驱动：在需要高功率输出的电机驱动电路中表现突出，其卓越的耐压特性和稳定性确保电机获得稳定的驱动信号，实现高效的电机运转，适用于各种电机控制系统。
工业控制：在工业自动化控制领域发挥重要作用，可用于功率放大器和电源管理模块等控制系统中，提高系统的稳定性和可靠性，满足工业生产过程中的各种控制需求。
