US1MFhe心参数与封装特性

• 电气性能：
  zui大反向重复峰值电压（VRRM）为 1000V，平均正向整流电流（IF）达 1A，可承受 30A的非重复正向浪涌电流（8.3ms 半正弦波）。反向恢复时间（trr）仅为 75ns（典型值，如佑风微、晶导微参数），支持高频开关应用。正向压降（VF）低至 1.65V（@1A，佑风微、晶导微版本）或 1.7V（MDD Diodes 版本），导通损耗比传统硅二极管降低 30% 以上。结电容（Cj）仅为15pF（@4V/1MHz），有效降低寄生振荡风险。
• 封装设计：
  采用 SMAF（DO-214AD）表面贴装封装，尺寸为 3.70?2.70?1.20mm，厚度比传统 SMA 封装薄 40%。引脚平贴底部设计，实现芯片底面100% 焊接面积，优化散热路径，热阻更低（佑风微版本 RθJA=80℃/W，MDD Diodes 版本为 50℃/W）。封装符合 UL 94V-0 阻燃标准，端子可承受260℃/10 秒高温焊接，支持回流焊工艺（峰值温度 250℃）。

US1MFhe心优势

1. 超高压适配与高频性能：
   1000V 反向耐压可满足工业电焊机、 高压变频器及车载 OBC（车载充电器）的需求，75ns 超快反向恢复特性显著减少开关损耗，比普通快恢复二极管效率提升 35%，适用于100kHz 以上 高频电路。
2. 能效优化与可靠性：
   低正向压降（1.65V@1A）与低结电容（15pF）协同作用，在高频整流中实现高效能转换。采用 GPP 玻璃钝化芯片工艺，漏电流低至 5μA（@1000V），工作温度范围 **-55℃~%2B150℃**，可承受高冲击电流与恶劣环境长期运行。部分厂商（如佑风微）提供车规级版本，符合 AEC-Q101 ren证。
3. 小型化与散热优势：
   SMAF 封装体积紧凑，支持高密度 PCB 布局，引脚间距与 SMA 兼容，可直接替代传统封装。底面平面设计增强散热效率，建议搭配 5.0?5.0mm 铜箔进一步降低结温（TJ），支持长时间满负荷运行。
4. 环保合规与ren证：
   符合 RoHS 标准，无铅化设计满足欧盟环保要求。部分厂商（如佑风微）提供车规级版本，适用于汽车电子等高可靠性场景。

US1MF典型应用

• 工业设备：
  • 电焊机：次级高压电路的快速整流与浪涌保护。
  • 光伏逆变器：DC/DC 转换模块的高频开关与能效优化。
  • 高压变频器：IGBT 模块的续流与电压钳位。
• 汽车电子：
  • 车载 OBC（车载充电器）：1000V 高压直流转换模块的快速整流。
  • 电动工具电池管理：电池充放电回路的高效控制。
• 电力电子：
  • 高压电源：通信基站 48V 电源的高频滤波与整流。
  • 数据中心 UPS：逆变器的高效转换与稳定性保障。
• 消费电子：
  • 高端电源适配器：AC/DC 转换的高压整流与快速开关。
  • 智能家居模块：中压信号调理与电源管理。