MURB2010 是一款专为低压大电流高效开关电路设计的超快恢复二极管阵列，采用 TO-263封装，具备高可靠性与紧凑结构的双重优势。
MURB2010的关键参数
电气性能：
反向重复峰值电压（VRRM）：100V，适用于低压整流场景。
平均正向电流（IF (AV)）：20A（双二极管配置，每路 10A），支持大电流负载。
正向压降（VF）：典型值 1.1V@16A，低导通损耗提升能效。
反向恢复时间（TRR）：35ns，快速开关特性减少高频能量损耗。
浪涌电流能力：100A，可承受短时大电流冲击。
封装与结构：
封装类型：TO-263，表面贴装设计，引脚配置为 3 引脚（双阳极、共阴极）。
散热特性：金属基板与大面积焊盘设计，支持高效散热，适合高功率密度应用。
尺寸：TO-263 封装尺寸紧凑，引脚间距 2.6mm，便于 PCB 布局。
工作条件：
温度范围：结温范围 - 65?C 至 %2B 175?C，适应宽温环境。
湿度敏感性：符合 MSL 1 标准，无需特殊防潮处理。
MURB2010的应用领域
消费电子电源：作为次级整流二极管，利用其快速恢复特性降低开关损耗，适用于手机充电器、笔记本电源等。
汽车电子：用于车载 DC-DC 转换器，高效处理大电流转换，提升电源效率。
电机驱动与控制：作为续流二极管，保护电路免受感应电压冲击，适用于小型电机驱动模块。
工业设备：如便携式仪器、分布式电源系统等对低压大电流需求场景。
MURB2010的产品特性
低反向漏电流：高温下仍保持低漏电流（15μA@100V），确保长期稳定性。
高浪涌能力：100A 浪涌电流能力，增强电路可靠性。
封装优势：双二极管共阴极设计，减少 PCB 空间占用，简化电路布局。
MURB2010的注意事项
散热设计：需配合足够的散热片或 PCB 铜箔面积，避免长期工作时过热。
综上，MURB2010 TO-263 凭借其低压大电流耐受性、超快恢复特性和紧凑封装，成为低压开关电路的理想选择，尤其适合对效率和空间要求严格的消费电子及汽车电子应用场景。
