MURB2020 是一款专为中压高效开关电路设计的超快恢复二极管阵列，采用 TO-263封装，融合高可靠性与紧凑结构优势。
MURB2020的关键参数
电气性能：
反向重复峰值电压（VRRM）：200V，适用于中等电压整流场景。
平均正向电流（IF (AV)）：20A（双二极管配置，每路 10A），支持大电流负载。
正向压降（VF）：典型值 1.15V@16A，低至 850mV@8A，显著降低导通损耗。
反向恢复时间（TRR）：35ns，快速开关特性减少高频能量损耗。
浪涌电流能力：100A，可承受短时大电流冲击。
封装与结构：
封装类型：TO-263AB，表面贴装设计，3 引脚配置（双阳极、共阴极），金属基板与大面积焊盘支持高效散热。
尺寸：引脚间距 2.6mm，紧凑设计便于 PCB 布局。
工作条件：
温度范围：结温 - 65?C 至 %2B 175?C，适应宽温环境。
湿度敏感性：符合 MSL 1 标准，无需特殊防潮处理。
MURB2020的应用领域
工业电源：作为次级整流二极管，用于变频器、伺服驱动器等设备，利用快速恢复特性降低开关损耗。
不间断电源（UPS）：处理中压大电流转换，提升系统效率与稳定性。
电机驱动与控制：作为续流二极管，保护电路免受感应电压冲击，支持低压逆变器和斩波电机驱动模块。
通信设备：如基站电源、数据中心电源，满足高效散热与高可靠性需求。
MURB2020的产品特性
低反向漏电流：高温下保持 15μA@200V，确保长期稳定性。
高浪涌能力：100A 浪涌电流能力，增强电路可靠性。
封装优势：双二极管共阴极设计，减少 PCB 空间占用，简化电路布局。
高效性能：采用 Vishay FRED Pt? 技术，优化正向压降与恢复时间，降低开关损耗。
MURB2020的注意事项
散热设计：需配合足够的散热片或 PCB 铜箔面积，避免长期工作时过热。
综上，MURB2020 TO-263 凭借其中压耐受性、超快恢复特性和紧凑封装，成为中压开关电路的理想选择，尤其适合对效率和空间要求严格的工业及通信设备应用场景。
