MBRF10200CT TO-220F 是一款双共阴极高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器，专为中小功率高频高压应用设计，适用于对电压耐受性、效率和空间要求严格的电力电子电路。
MBRF10200CT TO-220F的产品概述
MBRF10200CT 采用沟槽 MOS 肖特基技术，结合 TO-220F 全塑封装，在紧凑体积内实现高效整流与稳定散热。器件集成两个独立的肖特基二极管，共阴极配置，可承受 10A 的连续正向电流和 200V 的反向电压，适用于高压开关电源、工业逆变器、汽车电子等中小功率高频场景。其优化的结构设计可降低导通损耗，支持 500kHz 以上的高频操作，同时兼容标准 PCB 布局，简化系统设计。
MBRF10200CT TO-220F的关键特性
高效能设计
低正向压降，显著降低导通损耗，提升系统效率。
快速开关特性，反向恢复时间几乎为零（trr≈0ns），支持高频同步整流。
反向漏电流控制严格，确保低功耗待机模式。
高可靠性
耐浪涌电流能力强，非重复正向浪涌电流可达 150A。
宽工作温度范围，适应严苛工业与车载环境。
符合 UL 94 V-0 阻燃标准，确保安全运行。
封装优势
TO-220F 全塑封装，无需额外绝缘垫即可直接安装在散热器上，简化设计并降低成本。
引脚间距 2.54mm，通孔安装，兼容标准 PCB 布局。
引脚表面镀雾锡（Sn），，耐 260?C 波峰焊。
封装尺寸紧凑（10.50 x 4.80mm），高度 19.50mm，适配高密度电路板。
MBRF10200CT TO-220F的技术参数
参数 典型值 / 范围 单位 测试条件
反向重复峰值电压 200 V -
正向平均电流 10 A 每二极管 5A，Tj=100?C
正向浪涌电流 150 A 8.3ms 单脉冲
正向压降 0.85（典型值）/0.92（zui大值） V IF=10A，Tj=25?C
反向漏电流 ≤200 ?A VR=200V，Tj=25?C
工作结温范围 -65 ~ %2B150
?C
存储温度范围 -65 ~ %2B175 ?C -
MBRF10200CT TO-220F的典型应用
高压开关电源（SMPS）：作为次级侧整流二极管，适用于工业设备、通信基站等 200V 高压场景，提升电源转换效率。
汽车电子：车载充电器、DC-DC 转换器的续流保护电路，支持宽电压输入（12V/24V 系统）。
工业逆变器与储能系统：高频整流模块，满足太阳能逆变器、储能变流器对高电压耐受性的需求。
电机驱动与变频器：防止反向电动势损坏器件，支持 150-200V 母线电压。
智能设备电源管理：如医疗设备、高端家电的电源模块，确保低功耗与长寿命。
封装信息
封装类型：TO-220F 全塑封装，3 引脚单列直插，散热片与引脚电气隔离。
引脚定义：1、3 脚为阳极（A1、A2），2 脚为公共阴极（K）。
尺寸：本体长度 10.50mm，宽度 4.80mm，高度 19.50mm，兼容标准 TO-220 散热器。
注意事项
肖特基二极管无反向恢复时间，适用于高频开关场景，但需严格控制反向电压不超过 200V，避免电压应力导致失效。
建议通过散热器或 PCB 布局优化散热，尤其在连续高负载下确保结温不超过 150?C。
