SS22F he心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）20V，正向平均整流电流（IF (AV)） 2A，可承受 50A 的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如江苏固得沃克及山东晶导微电子数据）。
  • 正向压降（VF）典型值0.55V（@2A）：相比超快恢复二极管降低 60% 以上导通损耗，例如在 5V/2A 输出的 DC-DC 转换器中，相比 ES22F 可减少 2.1W 功耗。
  • 反向漏电流（IR）≤5μA（@20V，TA=25℃），高温下（TA=100℃）仍保持≤20μA（鹏领半导体数据）。
• 宽温域工作：支持 - 55℃至 %2B 150℃的极端温度环境，满足工业级及部分车规级应用需求。
• 封装规格：
  • 尺寸 3.70?2.70?1.20mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，符合 JEDEC 标准，厚度比传统 SMA 封装减少 50%（从 2.2mm 降至 1.20mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为 70℃/W（安装在 10mm?10mm 铜箔上，参考科丰半导体数据）。

SS22F 技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快速开关特性（反向恢复时间 Trr≤10ns），开关损耗比普通整流桥低 70%，适用于 300kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 3-4%。
   • 例如，在手机快充头中，相比普通硅二极管可减少 1.5W 功耗，显著降低发热并延长元件寿命。
2. 散热优化与可靠性：
   • 金属框架与芯片底面全焊接设计，配合≥10mm?10mm 铜箔散热焊盘或 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥5 个 /cm?），可有效降低结温。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如东沃电子 SS22F）通过严格的 HTRB 测试，反向漏电流≤5μA，适合工业及汽车电子应用。
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

典型应用

• 消费电子：手机锂电池保护板的过流保护、TWS 耳机充电盒的低压整流，0.55V 低 VF 特性可提升能效 2-3%。
• 汽车电子：车载信息娱乐系统的电源管理、倒车雷达模块的反向极性保护，车规级型号（如安森美 SS22FL）符合 AEC-Q101 标准。
• 工业设备：物联网传感器节点的低功耗电源、智能电表的高效整流，适应 - 40℃至 %2B 125℃宽温环境。
• 新能源领域：可穿戴设备的微型电池管理、太阳能灯的低压过压保护，支持 200kHz 以上开关频率。