ES2DFhe心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）200V，正向平均整流电流（IF (AV)） 2A，可承受 50A 的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如 Slkoric 及晶导微电子数据）。
  • 正向压降（VF）典型值1.0-1.25V（@2A）：晶导微电子为 1.0V，Slkoric 为 1.25V，导通损耗比普通硅二极管降低 30% 以上。
  • 反向漏电流（IR）≤5μA（@200V，TA=25℃），高温下（TA=100℃）仍保持≤100μA（鹏领半导体数据）。
• 宽温域工作：支持 - 55℃至 %2B 150℃的极端温度环境，满足工业级及部分车规级应用需求。
• 封装规格：
  • 尺寸 3.70?2.92?1.10mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，符合 JEDEC 标准，厚度比传统 SMA 封装减少 50%（从 2.2mm 降至 1.1mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，部分厂商（如 Slkoric）采用框架式焊接工艺，提升可靠性。

ES2DF技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快恢复特性（反向恢复时间 Trr≤35ns），开关损耗比普通整流桥低 40%，适用于 100kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 1-1.5%。
   • 例如，在 48V/2A 输出的开关电源中，相比普通硅二极管可减少 2.4W 功耗，有效降低发热。
2. 散热优化与可靠性：
   • 采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为 60℃/W（安装在 5.0-10.0mm? 铜箔上，参考晶导微电子数据）。建议搭配≥10mm?10mm 铜箔散热焊盘，或采用 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥5 个 /cm?）优化散热。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如东沃电子 ES2DBQ）通过 AEC-Q101 车规ren证，焊接温度可达 260℃/10 秒。
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

ES2DF典型应用

• 工业设备：率开关电源（SMPS）的高频整流、电机驱动电路的续流保护，以及需要 200V 反向电压的传感器供电模块。
• 新能源领域：储能系统的低压过压保护、电动汽车充电桩的防逆流设计（200V 反向电压保护），提升能源利用率。
• 汽车电子：车载充电器、BMS（电池管理系统）的反向极性保护，快恢复特性适应高频开关需求，车规级型号（如东沃电子 ES2DBQ）符合 AEC-Q101 标准。
• 消费电子：高压适配器（支持 100-240V 宽输入）的全波整流，晶导微电子 ES2DF 的 1.0V 低 VF 特性可显著降低发热。