SS315F SMAF 产品描述

SS315F 核心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）150V，平均整流电流（IF (AV)） 3A，可承受80-100A的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，晶导微电子、东沃电子等厂商参数）。
  • 正向压降（VF）典型值0.85V（@3A）：相比超快恢复二极管降低 35%-50% 导通损耗。例如，在 12V/3A 输出的 DC-DC 转换器中，相比 ES315F（VF=1.4V）可减少1.65W功耗（VF 差异 0.55V）。
  • 反向漏电流（IR）≤0.3-0.5mA（@150V，TA=25℃），高温下（TA=125℃）仍保持≤ 3-20mA，部分厂商型号（如佑风微）通过优化设计可支持 **%2B150℃** 极端环境。
• 宽温域工作：支持 **-55℃至 %2B 150℃** 的极端工作温度，晶导微电子 SS315F SMAF 通过严格的高温稳定性测试，适合工业及汽车电子等严苛场景。
• 封装规格：
  • 尺寸 3.70?2.70?1.10mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，厚度比传统 SMA 封装减少 50%（从 2.2mm 降至 1.1mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为70℃/W（晶导微电子、东沃电子参数）。

SS315F 技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快速开关特性，开关损耗比普通整流桥低 60%，适用于 1MHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 5-8%。
   • 例如，在工业 PLC 电源模块中，相比普通硅二极管可减少1.65W功耗，显著降低发热并延长设备寿命。
2. 散热优化与可靠性：
   • 金属框架与芯片底面全焊接设计，配合≥5mm?5mm 铜箔散热焊盘或 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥3 个 /cm?），可有效降低结温。实测在 3A 持续负载下，结温较 SMA 封装降低 10℃。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

典型应用

• 工业设备：PLC的中压电源整流、智能电表的信号隔离，150V 耐压特性可应对工业电网波动。
• 汽车电子：车载充电器的次级整流、LED 车灯的反向极性保护，宽温域特性确保极端环境下稳定运行。东沃电子等厂商提供车规级版本，符合 AEC-Q101 标准。
• 新能源领域：太阳能微逆变器的高频开关、储能系统的过压保护，支持 1MHz 以上的开关频率。
• 消费电子：笔记本电脑适配器的高效整流、TWS 耳机的电池保护电路，低 VF 特性可提升能效 3-5%。