RS1MF 核心参数与封装特性

• 电气性能：
  zui大反向重复峰值电压（VRRM）为 1000V，平均正向整流电流（IF）达 1A，可承受 30A的非重复正向浪涌电流。反向恢复时间（trr）为 500ns（典型值），支持高频开关应用。正向压降（VF）低至 1.3V（@1A），有效降低导通损耗。
• 封装设计：
  采用 SMAF（DO-214AD）表面贴装封装，尺寸为 3.50?2.55?1.05mm，比传统 SMA 封装薄 50%。引脚平贴底部设计，避免虚焊风险，同时优化散热路径，热阻更低。封装符合 UL 94V-0 阻燃标准，端子可承受260℃/10 秒高温焊接。

核心优势

1. 高频高效：
   快速反向恢复特性（trr=500ns）显著减少开关损耗，适用于 开关电源（SMPS）、 LED 驱动及 逆变器等高频场景。
2. 高可靠性：
   采用 GPP 玻璃钝化芯片工艺，漏电流低至5μA（@1000V），工作温度范围 **-55℃~%2B150℃**，可承受严苛环境下的长期运行。部分品牌（如 ASEMI）强调芯片的抗冲击能力，确保高稳定性。
3. 小型化与兼容性：
   SMAF 封装体积紧凑，支持高密度 PCB 布局，且引脚间距与 SMA 兼容，无需修改电路板设计即可替代传统封装。
4. 环保合规：
   符合 RoHS 标准，无铅化设计满足欧盟环保要求。

RS1MF 典型应用

• 消费电子：家电电源、适配器、机顶盒等的整流与滤波。
• 工业设备：变频器、电机驱动器、太阳能逆变器的高频整流。
• 照明系统：LED 驱动电源的高效转换与浪涌保护。
• 汽车电子：车载充电器、DC-DC 转换器的稳定供电。

RS1MF 技术细节补充

• 浪涌能力：可承受 8.3ms 半正弦波浪涌电流（30A），适合应对瞬时过载。
• 热管理：封装底部平面设计实现 100% 芯片焊接面积，散热效率提升，结温（TJ）控制更优。
• 存储条件：建议在干燥环境下保存，避免湿度敏感