MBR20200CT TO-220 是一款专为中高压高频场景设计的双共阴肖特基势垒整流器，采用 TO-220AB 封装，集成两颗独立芯片，适用于对高效能、快速开关和高可靠性要求严格的工业与消费电子领域
MBR20200CT TO-220 的产品概述
MBR20200CT TO-220 基于硅基肖特基二极管技术，通过优化的芯片设计实现极低的正向压降和超快速开关响应。器件可承受20A 的平均正向电流（IF (AV)）和200V 的反向重复峰值电压（VRRM），适用于高压开关电源、储能逆变器、工业变频器等场景。
MBR20200CT TO-220 的关键特性
超低功耗与高效能
正向压降（VF）
反向恢复时间（Trr）：极短
高浪涌电流能力（IFSM）：适应瞬时过载场景
高可靠性与宽温性能
宽工作温度范围：-55?C 至 %2B 175?C，适应严苛工业环境与高温操作。
阻燃标准：符合 UL 94 V-0 阻燃标准，确保安全运行。
低反向漏电流（IR）：在 25?C 时，典型值≤10~1000?A；高温下可能增至 20mA，提升长期稳定性。
封装与散热优势
TO-220AB 全塑封装：3 引脚单列直插，支持直接安装在散热器上，无需额外绝缘垫，降低设计复杂度与成本。引脚表面镀雾锡（Sn），符合 J-STD-002 可焊性标准，耐 260?C 波峰焊。
紧凑尺寸：本体长度 10.16mm，宽度 4.57mm，高度 15.10mm，适配高密度电路板，兼容标准 TO-220 散热器。
MBR20200CT TO-220 的技术参数
参数 典型值 / 范围 单位 测试条件
反向重复峰值电压 200 V -
平均正向电流 20 A Tj=100?C
正向浪涌电流 150~200 A 8.3ms 单脉冲，Tj=25?C
反向恢复时间 <5~500 ns IF=1A，IR=0.25A
正向压降 0.80~0.95 V IF=10A，Tj=25?C
反向漏电流 ≤10~1000 ?A VRRM=200V，Tj=25?C
工作结温范围 -55 ~ %2B175 ?C -
存储温度范围 -55 ~ %2B175 ?C -
结电容 400~800 pF VR=0V，1MHz
MBR20200CT TO-220 的典型应用
高压开关电源：AC/DC 转换器、服务器电源的同步整流与续流，支持宽输入电压（100V/150V/200V），尤其适用于对效率要求高的中小功率模块。
储能系统：电动车充电器、光伏逆变器的高效整流，减少充电损耗，提升电池寿命。
工业设备：变频器、电机驱动电路的快速开关与反向保护，降低启停时的电压尖峰，尤其适用于 200V 母线系统。
汽车电子：车载充电器、启动电路、照明电路的高效整流，适应 48V 系统，支持车载电源的高频切换。
消费电子：笔记本电脑适配器、LED 照明电源的高频整流，支持紧凑设计与低功耗需求。
