SK26Fhe心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）60V，正向平均整流电流（IF (AV)） 2A，可承受50A的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如 Diotec SK26 数据）。
  • 正向压降（VF）典型值0.7V（@2A）：相比超快恢复二极管降低 50% 以上导通损耗，例如在 24V/2A 输出的 DC-DC 转换器中，相比 ES26F 可减少 1.0W 功耗。
  • 反向漏电流（IR）≤500μA（@60V，TA=25℃），高温下（TA=125℃）仍保持≤ 3mA（江苏长晶科技 SS26F 数据）。
• 宽温域工作：支持 **-55℃至 %2B 150℃的极端温度环境（Diotec SK26 标准），部分厂商型号（如 SS26FL）可适应-55℃至 %2B 125℃** 的工业级需求。
• 封装规格：
  • 尺寸 3.65?2.80?1.05mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，厚度比传统 SMA 封装减少 52%（从 2.2mm 降至 1.05mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为70℃/W（安装在 10mm?10mm 铜箔上，参考科丰半导体数据）。

SK26F技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快速开关特性（反向恢复时间Trr≤25ns），开关损耗比普通整流桥低 60%，适用于 200kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 2-3%。
   • 例如，在工业 PLC 电源模块中，相比普通硅二极管可减少 1.5W 功耗，显著降低发热并延长元件寿命。
2. 散热优化与可靠性：
   • 金属框架与芯片底面全焊接设计，配合≥10mm?10mm 铜箔散热焊盘或 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥5 个 /cm?），可有效降低结温。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如东沃电子 SK26F）通过严格的 HTRB 测试，反向漏电流≤5μA，适合工业及汽车电子应用。
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

SK26F典型应用

• 工业设备：PLC（可编程逻辑控制器）的中高压电源整流、智能电表的高效能量管理，60V 耐压特性可应对电网波动。
• 汽车电子：车载充电器（OBC）的次级整流、LED 大灯模块的反向极性保护，车规级型号（如安森美 SK26FL）符合 AEC-Q101 标准。
• 新能源领域：储能系统的低压过压保护、太阳能逆变器的高频整流，支持 200kHz 以上开关频率。
• 消费电子：笔记本电脑电源适配器的次级整流、智能音箱的高效电源管理，0.7V 低 VF 特性可提升能效 1-2%。