BSS225
一、产品概述
BSS225 SOT - 23 是一款性能卓越的 N 沟道小信号 MOSFET，采用先进的硅半导体制造工艺，通过优化的器件结构设计，具备出色的电气性能和可靠性。其采用的 SOT - 23 表面贴装封装形式。
二、he心电气参数
（一）电压参数
高耐压能力：BSS225 SOT - 23 的反向重复峰值电压（VRRM）和断态重复峰值电压（VDRM）均高达 600V 。
合理的栅源电压范围：栅源电压（VGS）的额定范围为 ?20V 。
（二）电流参数
稳定的连续漏极电流：在环境温度 TA = 25℃时，连续漏极电流（ID）可达 90mA ；即使在环境温度升高到 TA = 70℃时， 依然能够维持 73mA 的连续漏极电流。
强大的脉冲漏极电流承受能力：脉冲漏极电流（ID,pulse）在 TA = 25℃时可高达 360mA 。
低导通电阻：当栅源电压 VGS = 4.5V ，漏极电流 ID = 90mA 时，漏源导通电阻（RDS (on)）典型值为 28Ω ；当 VGS 提升至 10V ，ID = 90mA 时，RDS (on) 典型值进一步降低至 45Ω 。
快速的开关特性：BSS225 SOT - 23 具有出色的开关速度，快速的开关特性使其能够在高频信号处理、高速数据传输等应用中准确、迅速地响应控制信号，实现对电路的快速通断控制，有效提升了电路的工作频率和数据处理能力。
良好的温度适应性：工作结温（Tj）范围为 - 55℃至 %2B 150℃ ，存储温度（Tstg）范围同样为 - 55℃至 %2B 150℃ 。
三、产品特性
（一）高可靠性
坚固的内部结构设计
严格的生产工艺控制
（二）低功耗
低导通电阻带来的低功耗优势
低栅极驱动功耗
（三）高灵敏度触发
低门极触发电流
精准的触发控制
（四）出色的散热性能
SOT - 23 封装的散热优势
低热阻特性
四、典型应用场景
（一）消费电子领域
手机及平板电脑的电源管理
智能家居设备的信号处理与控制
（二）工业控制领域
小型电机驱动与调速
工业传感器信号调理
（三）汽车电子领域
汽车照明系统控制
汽车电子控制系统的信号处理
