MBRF20100CT TO-220F 是一款双共阴极高压沟槽 MOS 势垒肖特基整流器，专为高频、高可靠性应用设计，适用于需要高效能、低功耗的电力电子电路。
MBRF20100CT TO-220F 的产品概述
MBRF20100CT TO-220F  采用先进的沟槽 MOS 肖特基技术，结合 TO-220F 全塑封装，提供卓越的电气性能与热管理能力。该器件集成两个独立的肖特基二极管，共阴极配置，可承受 20A 的连续正向电流和 100V 的反向电压，适用于开关电源、充电桩、逆变器等高频整流场景。其优化的结构设计可有效降低导通损耗，支持 500kHz 以上的高频操作，同时兼容标准 PCB 布局，简化系统设计。
MBRF20100CT TO-220F 的关键特性
高效能设计：
低正向压降（典型值 0.85V@10A），显著降低导通损耗，提升系统效率。
快速开关特性，反向恢复时间几乎为零（trr≈0ns），支持高频同步整流。
极低的反向漏电流（≤50?A@100V），确保低功耗待机模式。
高可靠性：
耐浪涌电流能力强，非重复正向浪涌电流可达 120-220A。
宽工作温度范围（-55?C 至 %2B 150?C），适应严苛工业环境。
符合 UL 94 V-0 阻燃标准，确保安全运行。
封装优势：
TO-220F 全塑封装，无需额外绝缘垫即可直接安装在散热器上，简化设计并降低成本。
引脚间距 2.54mm，通孔安装，兼容标准 PCB 布局。
引脚表面镀锡，符合 J-STD-002 可焊性标准。
MBRF20100CT TO-220F 的技术参数
参数 典型值 / 范围 单位 测试条件
反向重复峰值电压 100 V -
正向平均电流 20 A 每二极管 10A，Tj=100?C
正向浪涌电流 120-220 A
正向压降 ≤0.85 V IF=10A，Tj=25?C
反向漏电流 ≤50 ?A VR=100V，Tj=25?C
工作结温范围 -55 ~ %2B150 ?C -
存储温度范围 -55 ~ %2B150 ?C -
MBRF20100CT TO-220F 的典型应用
开关电源（SMPS）：作为次级侧整流二极管，提升转换效率。
充电桩与逆变器：支持高电压输入，提供稳定直流输出。
电机驱动与发电机：续流保护电路，防止反向电动势损坏器件。
极性保护与工业设备：确保电源反接时设备安全，适应宽温环境。
封装信息
封装类型：TO-220F 全塑封装，3 引脚单列直插。
引脚定义：1、3 脚为阳极（A1、A2），2 脚为公共阴极（K）。
尺寸：本体长度约 15.7mm，引脚间距 2.54mm，兼容标准 TO-220 散热器。
注意事项
肖特基二极管无反向恢复时间，适用于高频开关场景，但需注意电压应力。

建议通过散热器或 PCB 布局优化散热，确保长期可靠性。