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供应DTA114W SOT-23 PNP 带阻三极管

作者: 编辑: 来源: 发布日期: 2026.07.15
信息摘要:
品牌:SZXYL 型号:DTA114W 封装: SOT-23-3  电流:100mA 电压:50V

DTA114W产品概述

DTA114W 是集成基极分压电阻的 PNP 型晶体管,采用 SOT-23-3 封装(尺寸 2.9mm?1.65mm?1.10mm),内置47kΩ 100kΩ 不对称分压电阻网络,无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号。其集电极电流(Ic)可达 100mA,集电极 - 发射极电压(VCEO)为50V,适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景,广泛应用于工业控制、通信设备及消费电子等领域。

DTA114Whe心特性

  1. 不对称分压与宽输入兼容性
    内置 47kΩ 100kΩ 不对称分压电阻网络,相较于对称型号,可在 **-40V 至 10V 的超宽输入电压范围 下实现稳定偏置。典型直流电流增益(hFE)zui小值为24**,适用于需要高输入阻抗的信号放大或驱动场景。
  2. 宽工作范围与可靠性
    • 集电极 - 发射极电压(VCEO):50V
    • 集电极电流(Ic):100mA(连续)
    • 工作温度范围:-55℃至 150℃,适应极端环境下的长期运行。
    • 采用先进半导体工艺,集电极 - 发射极饱和电压(VCE (sat))低至0.3V,确保高效信号传输。
    • 集电极截止电流(ICEO)仅500nA,有效降低漏电流干扰;发射极 - 基极截止电流(IEBO)为0.1mA,需在电路设计中关注漏电流控制。
    • 过渡频率(Ft)达250MHz,支持高频信号处理。
  3. 负电源系统适配能力

    基于分压网络特性,在负电源系统中输入电压范围为 - 40V 至 - 0.5V,可直接匹配工业设备中常见的负电源逻辑信号,如机床控制单元的低电平触发电路。


  4. 技术参数(典型值)

    参数 符号 标准型 单位
    集电极 - 发射极电压 VCEO 50 V
    集电极电流 Ic 100 mA
    基极 - 发射极电压 VBE 0.7 V
    直流电流增益 hFE ≥24(zui小值) -
    集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat) 0.3 V
    工作温度范围 Tj -55~ 150
    封装尺寸(长 ? 宽 ? 高) - 2.9?1.65?1.10 mm
    内置基极电阻 R1 47kΩ -
    内置发射极 - 基极电阻 R2 100kΩ -
    功率耗散 Pd 200(TA=25℃) mW
    集电极截止电流 ICEO ≤500 nA
    发射极 - 基极截止电流 IEBO ≤0.1 mA
    输入电压范围 Vin -40~ 10(正电压) V
    过渡频率 Ft 250 MHz



DTA114W典型应用

  • 工业控制:PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制,尤其适用于需兼容负电源的工业设备(如机床控制单元)。
  • 通信设备:基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理,支持负电源系统的通信设备。
  • 消费电子:手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转(PNP 特性)。
  • 办公设备:打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元,支持 3.3V/5V 混合信号系统。
  • 汽车电子:非关键车载电路,建议优先选择通过 AEC-Q101 ren证的替代型号用于引擎控制模块等关键场景。

封装与引脚定义

  • 封装形式:SOT-23-3(3 引脚)
  • 引脚功能
    • 引脚 1(基极 B):控制信号输入。
    • 引脚 2(发射极 E):低电平参考。
    • 引脚 3(集电极 C):输出信号或负载连接
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