关键特性

• 封装形式：SMA，表面贴装
• 直流反向耐压（Vr）：400V
• 平均整流电流（Io）：2A
• 正向压降（Vf）：1.3V
• 反向电流（Ir）：5μA
• 反向恢复时间（trr）：50ns
• 工作温度（Tj）：-55℃~%2B150℃

应用领域

• 电源电子：开关电源、电源适配器、电源转换器
• 通信设备：保护信号线和数据线，防止电压尖峰
• 医疗设备：血压监测仪、呼吸机等
• 环境监测：监测大气污染物浓度、水质、土壤湿度
• 航空航天：飞行器的姿态控制、引导系统

• 科研实验：各种科研实验中的测量

工作原理

• 正向导通：当正向电压加在 PN 结上时，P 型半导体中的空穴和 N 型半导体中的电子会向 PN 结迁移，形成电流
• 反向截止：当反向电压加在 PN 结上时，P 型半导体中的空穴和 N 型半导体中的电子会远离 PN 结，形成反向截止状态，此时几乎没有电流通过
• 反向恢复过程：当反向电压突然撤除或反转时，PN 结中会形成少数载流子，需要一定时间才能完全消失，这段时间称为反向恢复时间。US2G 采用特殊工艺设计，使得少数载流子的重新分布时间大大缩短，从而实现超快的反向恢复时间

2. 内部结构优化

• PN 结：是 PN 结，由正电极（P 型半导体）和负电极（N 型半导体）组成
• 扩散层：PN 结两侧设置了高掺杂的扩散层，以降低正向压降并加快反向恢复速度
• 漂移层：PN 结之间设置了低掺杂的漂移层，以增加反向击穿电压

性能优势

• 高反向耐压：400V的直流反向耐压，适用于中等电压环境
• 适度的整流电流承受能力：2A的平均整流电流，满足一般电流需求
• 低正向压降：1.3V ，有助于降低功耗
• 快速的反向恢复时间：50ns的trr，提供快速的反向恢复性能
• 广泛的工作温度范围：-55℃~%2B150℃，适用于各种环境

安装与使用

注意事项

在使用US2G时，请注意输入电压和电流的限制，并遵循生产商提供的技术规格和操作指南，以确保产品的正常运行和性能表现