基本参数
反向耐压：200V
平均整流电流：1A
反向恢复时间：一般为 25ns-35ns
正向压降：约 0.92V-0.95V@1A
反向漏电流：5μA-100μA@200V
物理特性
封装形式：DO-214AC（SMA）
引脚数：2Pin
尺寸：长 4.50mm，宽 2.70-2.79mm，高度 2.20-2.29mm。
安装类型：SMT（表面贴装）
工作温度：-55℃-+150℃
是否无铅：是
产品特点
玻璃钝化结：具有良好的稳定性和可靠性
低轮廓封装：适合空间有限的电路板设计
内置应力释放：有助于提高器件在焊接和使用过程中的抗应力能力
超快速恢复时间：ES1D能够实现高效率的开关操作，适用于高频电路
应用领域：ES1D属于通用型二极管，常用于各种需要快速整流或开关的电路中，如电源适配器、充电器、开关电源、变频器等电子设备中的二次整流，以及消费者应用中超高速开关速度转换器的自由旋转等
工作原理
正向导通：当正向电压加在二极管两端时，PN结中的少数载流子发生注入，形成正向电流，二极管处于导通状态
反向截止：当反向电压加在二极管两端时，PN结中的载流子被反向电场推回，二极管处于截止状态
反向恢复：当二极管从导通状态转换为截止状态时，由于PN结中积累的少数载流子需要时间清除，导致反向电流先增大后减小，这个过程称为反向恢复。ES1D的反向恢复时间（trr）非常短，通常为15ns，这使得它在高频电路中表现出色
选型要点
正向电流：根据实际需求选择合适的正向电流容量。
反向恢复时间：选择符合电路工作频率的二极管，通常需要反向恢复时间更短的型号。
正向压降：选择正向压降较低的二极管，以降低功耗，提高电路效率。
封装形式：根据电路设计要求选择合适的封装形式。
ES1D超快恢复整流二极管凭借其快速恢复时间、低正向压降和高可靠性，成为高频电源和工业控制应用中的理想选择。