M7二极管是一种高性能的硅整流二极管，广泛应用于电源整流、保护电路和高频开关等领域。
基本参数
封装形式：SMA（DO-214AC），表面贴装
反向重复峰值电压：1000V
正向平均电流：1A
正向（不重复）浪涌电流：30A
正向峰值电压：1V
反向漏电流：5μA
工作温度范围：-55℃至150℃
结温范围：-55℃至125℃
反向恢复时间：约500ns
性能特点
高反向电压：具有1000V的反向击穿电压，适合高压电路
低反向漏电流：在25℃时，反向漏电流仅为5μA
快速恢复时间：反向恢复时间短，适合高频应用
低正向压降：在1A电流下，正向压降约为1.1V
高浪涌电流能力：能够承受30A的非重复峰值正向电流
工作原理
正向导通：当正向电压（即P型端接电源正极，N型端接电源负极）施加在两端时，PN结中的少数载流子（电子和空穴）会受到电场的作用，从N型半导体向P型半导体移动，形成电流。这个过程称为正向导通。
正向压降：在正向导通状态下，M7二极管的正向压降约为1.1V。这意味着当电流通过二极管时，会在二极管两端产生约1.1V的电压降。
电流特性：正向平均整流电流为1A，能够处理较大的电流，适用于多种应用。
反向截止：当反向电压（即P型端接电源负极，N型端接电源正极）施加在M7二极管两端时，PN结中的多数载流子（电子和空穴）会受到反向电场的作用，被推回到各自的半导体区域，阻止电流的流动。这个过程称为反向截止。
反向漏电流：在反向截止状态下，反向漏电流非常小，通常在25℃时为5μA。这意味着在反向电压下，二极管几乎不导电，只有极小的漏电流。
反向击穿电压：反向重复峰值电压为1000V，能够承受较高的反向电压，适用于高压电路。
反向恢复时间：当M7二极管从正向导通状态切换到反向截止状态时，PN结中积累的少数载流子需要时间清除。这个过程称为反向恢复，其时间通常为500纳秒。快速的反向恢复时间使得M7二极管在高频电路中表现出色，能够有效减少开关损耗。
应用场景
电源整流：将交流电转换为直流电，适用于高压电源
保护电路：防止电流反向流动，保护后级电路
高频开关：快速恢复时间使其在高频开关电路中表现出色
电子开关：控制电流的导通与截止
选型建议
工作电压：确保二极管的反向耐压值高于电路中的反向电压
工作电流：选择能够承受电路中电流的二极管
封装形式：根据电路板设计和安装空间选择合适的封装形式
总结
M7二极管凭借其高反向电压、低反向漏电流和快速恢复时间，成为高频电路和电源管理应用中的理想选择。其广泛应用于开关电源、高频电路、电机驱动等领域，能够有效提高电路效率并减少能量损耗