供应ES2JF SMAF 超快恢复二极管

产品简介 / Introduction

ES2JF SMAF 是一款专为高压高频场景设计的超快恢复整流二极管，采用超薄型 SMAF 封装（尺寸 3.70?2.70?1.30mm），在实现高效整流的同时显著节省 PCB 空间。以下是其he心特性与技术参数的详细描述：

电压与电流能力：
- 反向峰值电压（VRRM）600V，正向平均整流电流（IF (AV)） 2A，可承受 50A 的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如晶导微电子及台湾半导体数据）。
- 正向压降（VF）典型值1.68-1.7V（@2A）：晶导微电子为 1.68V，台湾半导体为 1.7V，导通损耗比普通硅二极管降低 30% 以上。
- 反向漏电流（IR）≤5μA（@600V，TA=25℃），高温下（TA=100℃）仍保持≤100μA（鹏领半导体数据）。
宽温域工作：支持 - 55℃至 %2B 150℃的极端温度环境，满足工业级及部分车规级应用需求。
封装规格：
- 尺寸 3.70?2.70?1.30mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，符合 JEDEC 标准，厚度比传统 SMA 封装减少 41%（从 2.2mm 降至 1.30mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
- 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，部分厂商（如萨科微）采用框架式焊接工艺，提升可靠性。

低功耗与高频性能：
- 超快恢复特性（反向恢复时间 Trr≤35ns），开关损耗比普通整流桥低 40%，适用于 100kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 1-1.5%。
- 例如，在 48V/2A 输出的开关电源中，相比普通硅二极管可减少 2.6W 功耗，有效降低发热。
散热优化与可靠性：
- 采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为 65℃/W（安装在 5.0-10.0mm? 铜箔上，参考台湾半导体数据）。建议搭配≥10mm?10mm 铜箔散热焊盘，或采用 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥5 个 /cm?）优化散热。
- 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如晶导微电子 ES2JF）通过严格的 HTRB 测试，反向漏电流≤5μA，适合工业及汽车电子应用。
兼容性与环保合规：
- 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
- 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

工业设备：率开关电源（SMPS）的高频整流、电机驱动电路的续流保护，以及需要 600V 反向电压的传感器供电模块。
新能源领域：储能系统的高压过压保护、电动汽车充电桩的防逆流设计（600V 反向电压保护），提升能源利用率。
汽车电子：车载充电器、BMS（电池管理系统）的反向极性保护，快恢复特性适应高频开关需求，部分厂商型号（如萨科微 ES2JF）符合 AEC-Q101 车规ren证标准。
消费电子：高压适配器（支持 100-240V 宽输入）的全波整流，晶导微电子 ES2JF 的 1.68V 低 VF 特性可显著降低发热。

该器件以超小尺寸、低功耗和高频性能，成为高压高频电路的理想选择，尤其适合对效率、稳定性和空间布局要求严苛的工业、新能源及汽车电子应用场景。