ES1BFhe心参数

• 电压与电流能力：
  • 反向峰值电压（VRRM）100V，正向平均整流电流（IF (AV)）1A，可承受 30A 的正向浪涌峰值电流（IFSM，8.3ms 单半正弦波，如合科泰及 ASEMI 数据）。
  • 正向压降（VF）典型值 0.95-1.0V（@1A）：合科泰品牌为 0.95V，SK 品牌为 1.0V，导通损耗比普通硅二极管降低 20% 以上。
  • 反向漏电流（IR）≤5μA（@100V，TA=25℃），高温下（TA=100℃）仍保持≤100μA（合科泰数据）。
• 宽温域工作：支持 - 55℃至 %2B 150℃的极端温度环境，满足工业级及部分车规级应用需求。
• 封装规格：
  • 尺寸 4.60?2.92?1.10mm（SMAF/2 引脚），引脚间距 1.27mm，符合 JEDEC 标准，厚度比传统 SMA 封装减少 50%（从 2.2mm 降至 1.1mm），体积缩小 35%，适合高密度贴片布局。
  • 引脚可承受 260℃回流焊（10 秒），兼容标准 SMT 工艺，支持波峰焊，部分厂商（如鹏领半导体）采用框架式焊接工艺，提升可靠性。

ES1BF技术优势

1. 低功耗与高频性能：
   • 超快恢复特性（反向恢复时间 Trr≤35ns），开关损耗比普通整流桥低 40%，适用于 100kHz 以上的 DC-DC 转换器及逆变器，可提升系统效率 1-1.5%。
   • 肖特基势垒结构带来低正向压降（典型 0.95V），例如在 12V/1A 输出的开关电源中，相比普通硅二极管可减少 0.95W 功耗。
2. 散热优化与可靠性：
   • 采用金属框架与芯片底面全焊接设计，典型热阻（RθJA）为 100℃/W（安装在 5.0-10.0mm? 铜箔上，参考鹏领半导体数据）。建议搭配≥8mm?8mm 铜箔散热焊盘，或采用 Φ0.3mm 散热过孔阵列（密度≥3 个 /cm?）优化散热。
   • 内置 Guard Ring 保护结构，增强抗浪涌能力；符合 RoHS 3 及无铅标准，部分厂商型号（如东沃电子 ES1BAQ）通过 AEC-Q101 车规ren证，焊接温度可达 260℃/10 秒。
3. 兼容性与环保合规：
   • 引脚间距 1.27mm，兼容标准 SMT 贴片工艺，支持回流焊和波峰焊，可直接替代传统 SMA 封装器件。
   • 符合欧盟 RoHS 3 指令及中国 RoHS 标准，无卤素、无铅化设计，满足quan球环保要求。

典型应用

• 工业设备：中小功率开关电源（SMPS）的高频整流、电机驱动电路的续流保护，以及需要 100V 反向电压的传感器供电模块。
• 新能源领域：太阳能微逆变器的防逆流设计（100V 反向电压保护）、储能系统的低压过压保护，提升能源利用率。
• 汽车电子：车载充电器、ECU 电源模块的反向极性保护，快恢复特性适应高频开关需求，车规级型号（如东沃电子 ES1BAQ）符合 AEC-Q101 标准。
• 消费电子：高压适配器（支持 100-240V 宽输入）的全波整流，合科泰品牌 ES1BF 的 0.95V 低 VF 特性可显著降低发热。

该器件以超小尺寸、低功耗和高频性能，成为中小功率高频电路的理想选择，尤其适合对效率、稳定性和空间布局要求严苛的工业、新能源及汽车电子应用场景。