MBRD10200CT 是一款专为高压高频大电流场景设计的肖特基二极管阵列，采用 TO-252贴片封装，集成双共阴极二极管结构，在高电压稳定性与紧凑布局之间实现平衡。
MBRD10200CT的关键参数
电气性能：
反向重复峰值电压（VRRM）：200V，适用于 48V/12V 高压整流、工业电源及汽车电子等场景。
平均正向电流（IF (AV)）：10A，支持持续大电流负载，满足储能逆变器、充电桩等设备需求。
正向压降（VF）：典型值 0.92V@5A至 0.95V@10A，导通损耗显著低于传统硅二极管
反向恢复时间（TRR）：5ns，接近零纳秒的肖特基特性，显著降低高频开关损耗，适合 100kHz 以上高频应用。
浪涌电流能力：125A至 150A，可承受短时大电流冲击
封装与结构：
封装类型：TO-252，表面贴装设计，3 引脚配置
尺寸：10.3mm?6.6mm?2.3mm（标准 TO-252 尺寸），引脚间距 2.54mm，紧凑设计便于高密度 PCB 布局。
工作条件：
温度范围：标准型号结温 - 55?C 至 %2B 150?C（MDD）
湿度敏感性：符合 MSL 1 标准，无需特殊防潮处理。
MBRD10200CT的应用领域
高压电源：作为次级整流二极管，利用低正向压降特性降低导通损耗，适用于工业电源、48V 通信电源等高压输出设备。
新能源系统：如储能逆变器、车载充电器，处理高压大电流转换，提升系统能效。
汽车电子：用于电动汽车 OBC（车载充电机）、DC-DC 转换器，支持 48V 车载电气系统的高效整流与续流。
工业控制：适用于自动化设备电源模块、电机驱动逆变器，提供稳定的高压整流支持。
消费电子：如笔记本电脑适配器、智能家电电源，满足小型化与高效能需求。
MBRD10200CT的产品特性
低反向漏电流：高温下保持 10μA@200V
高效性能：采用肖特基势垒技术，优化正向压降与恢复时间，适合高频开关场景，可降低系统整体功耗。
封装优势：双二极管共阴极设计减少 PCB 空间占用，简化电路布局。TO-252 封装支持自然散热，建议 PCB 铜箔面积≥500mm? 以提升散热效率。
高可靠性：通过高纯度高温环氧树脂封装，增强机械强度与防潮性能，满足工业级应用需求。
注意事项

结温范围：标准型号结温为 - 55?C 至 %2B 150?C

散热设计：建议采用过孔阵列增强散热，避免长期工作时过热。TO-252 封装的金属基板配合大面积焊盘可有效提升散热效率。

综上，MBRD10200CT TO-252 凭借其高压高频高效能、快速恢复特性和紧凑封装，成为高压大电流开关电路的理想选择，尤其适合对可靠性和空间要求严格的工业及新能源应用场景。