2SB861 TO-220 PNP硅功率晶体管

2SB861he心参数

• 电压与电流能力： 集电极 - 发射极电压（VCEO）达 - 150V（zui大值），适用于中高压电路；集电极电流（IC）zui大 - 2A（连续），峰值 - 5A（脉冲宽度 < 10ms），满足音频功率放大、电机驱动等需求。
• 功率耗散： 在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）为 25W（TO-220）；无散热片时功率耗散需限制在 1.5W 以内。
• 直流电流增益（hFE）： 在 IC=-1A、VCE=-10V 条件下，hFE 范围为 80~200（L/M/H 档），可通过低基极电流实现高功率输出。例如，驱动 - 1A 负载仅需 5~12.5mA 基极电流，显著降低前级驱动电路复杂度。
• 饱和压降： 集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 1.2V，比传统 PNP 晶体管降低约 15%，减少导通损耗。
• 开关速度： 特征频率（fT）达 60MHz，支持 20kHz 以上音频信号放大，适用于需要快速响应的音频功放场景。
• 工作温度： -55℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子设备中的温度波动。
• 结构设计： 采用平面扩散工艺优化开关速度，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准，无内置续流二极管，需外部配置保护电路。

2SB861产品特性

1. 中高压增益与宽安全工作区（ASO） 150V 耐压能力及宽安全工作区设计，可承受中高压浪涌冲击。例如，在音频功放电路中，可直接驱动 8Ω 负载输出 30W 峰值功率，抑制电压尖峰并提升可靠性。
2. 低失真与高保真特性 典型失真度（THD）<0.15%，适合高保真音频放大。在 20kHz 音频信号放大时，相位失真 < 5?，确保信号完整性。
3. 宽温适应性与高可靠性 -55℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及汽车电子的温度波动。环氧树脂封装抗机械冲击能力强，符合 RoHS 标准,无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。
4. 驱动电路优化设计 需外接基极电阻（如 680Ω）以限制驱动电流，抑制漏电流并提升抗干扰能力。
5. 抗浪涌能力与保护设计 采用平面扩散工艺提升抗浪涌能力，在感性负载应用中需外部配置续流二极管（如 1N4007），抑制反向电动势，保护晶体管免受电压尖峰损坏。

2SB861典型应用

• 音频功率放大器：在 8Ω 负载下可输出 30W 峰值功率，与 2SD1138（NPN 型）配对使用，组成 OCL 互补推挽电路，输出功率提升至 60W，广泛应用于车载音响、小型功放模块。
• 电机驱动电路：驱动 24V 直流电机，通过 PWM 信号控制转速，峰值电流 - 5A 可满足小型机器人、家电电机的驱动需求。
• 高压反激式电源：在 150V 输入电压下，可作为主开关管，输出功率可达 100W，应用于工业控制电源、医疗设备电源等。
• 行推动电路：驱动行输出变压器的初级线圈，通过 PWM 信号控制高压生成，广泛应用于电视机、显示器等设备。

• 充电保护电路：在快充适配器中，作为过流保护开关，响应时间 < 1μs，有效防止电池过充。
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