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供应MUN2233 SOT-23 NPN 预偏置晶体管
  • 供应MUN2233 SOT-23 NPN 预偏置晶体管

品牌:SZXYL

型号:MUN2233

封装:SOT-23

电流:100mA

电压:50V

产品简介 / Introduction

MUN2233产品概述

MUN2233 是一款集成基极偏置电阻网络的 NPN 型双极晶体管,采用 SOT-23-3 封装(尺寸约为 2.9mm?1.6mm?1.1mm),具备优异的电气性能和稳定性。该器件内置基极串联电阻(R1=4.7kΩ)和基极 - 发射极电阻(R2=47kΩ),可直接与逻辑信号接口,显著简化电路设计复杂度。其集电极电流(Ic)可达 100mA,集电极 - 发射极电压(VCEO)为 50V,适用于中小功率开关、放大及信号调理等场景,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。

MUN2233he心特性

  1. 高集成度与简化设计
    内置 4.7kΩ 基极串联电阻和 47kΩ 基极 - 发射极电阻网络,无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号,显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益(hFE)zui小值为 80,满足多数低功耗放大需求。
  2. 宽工作范围与可靠性
    • 集电极 - 发射极电压(VCEO):50V
    • 集电极电流(Ic):100mA(连续)
    • 工作温度范围:-55℃至 %2B 150℃,适应极端环境下的长期运行。
    • 采用先进半导体工艺,集电极 - 发射极饱和电压(VCE (sat))低至 0.25V,确保高效信号传输。
  3. 环保与安全ren证
    产品符合 RoHS 标准,确保生产和使用过程中不含有害物质(如铅、汞、镉等),满足欧盟及quan球环保法规要求。

MUN2233典型应用

封装与引脚定义

技术参数

参数 符号 典型值 单位
集电极 - 发射极电压 VCEO 50 V
集电极电流 Ic 100 mA
基极 - 发射极电压 VBE 1.2 V
直流电流增益 hFE ≥80 -
集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat) 0.25 V
工作温度范围 Tj -55~%2B150
封装尺寸(长 ? 宽 ? 高) - 2.9?1.6?1.1 mm
内置基极电阻 R1%2BR2 4.7kΩ%2B47kΩ -
功率耗散 Pd 200 mW


注意事项

  1. 焊接工艺:建议采用回流焊,焊接温度控制在 260℃以内,避免元件过热损坏。
  2. 存储条件:干燥环境(湿度≤60%),避免直接暴露于高温或腐蚀性气体中。
  3. 电路设计:使用前需确认电路参数,确保不超过元件的zui大额定值(如 VCEO、Ic)。

MUN2233 凭借其高集成度、低饱和电压和可靠性能,成为中小功率电子电路的理想选择

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