MBRD20200CT 是一款专为低压高频大电流应用设计的肖特基二极管阵列，采用 TO-252封装，融合高效能与紧凑结构优势。
MBRD20200CT的关键参数
电气性能：
反向重复峰值电压（VRRM）：200V，适用于中低压整流场景。
平均正向电流（IF (AV)）：20A，支持大电流负载。
正向压降（VF）：典型值 0.82V@10A，低至 0.8V@8A，显著降低导通损耗。
反向恢复时间（TRR）：接近零纳秒，高频开关无反向恢复损耗，适合高速应用。
浪涌电流能力：150A，可承受短时大电流冲击。
封装与结构：
封装类型：TO-252，表面贴装设计，3 引脚配置（双阳极、共阴极），金属基板与大面积焊盘支持高效散热。
尺寸：10.3mm?6.6mm?2.3mm，引脚间距 2.54mm，紧凑设计便于 PCB 布局。
工作条件：
温度范围：结温 - 55?C 至 %2B 175?C，适应宽温环境。
湿度敏感性：符合 MSL 1 标准，无需特殊防潮处理。
MBRD20200CT的应用领域
开关电源：作为次级整流二极管，利用零反向恢复特性降低高频损耗，适用于适配器、充电器等设备。
新能源系统：如充电桩、储能逆变器，处理低压大电流转换，提升系统效率。
电机驱动与控制：作为续流二极管，保护电路免受感应电压冲击，支持低压逆变器和斩波电机驱动模块。
消费电子：如手机快充、智能家居设备，满足小型化与高效能需求。
MBRD20200CT产品特性
低反向漏电流：高温下保持 10μA@200V（典型值），确保长期稳定性。
高效性能：采用肖特基势垒技术，优化正向压降与恢复时间，降低开关损耗。
封装优势：双二极管共阴极设计，减少 PCB 空间占用，简化电路布局。
散热能力：TO-252 封装金属基板配合大面积焊盘，支持自然散热，建议 PCB 铜箔面积≥500mm? 以提升散热效率。
注意事项
散热设计：需配合足够的 PCB 铜箔面积或散热片，避免长期工作时过热，建议采用过孔阵列增强散热。

综上，MBRD20200CT TO-252 凭借其低压高频高效能、零反向恢复特性和紧凑封装，成为低压大电流开关电路的理想选择，尤其适合对效率和空间要求严格的消费电子及新能源应用场景。