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供应MBR30100CT 100V30A 双肖特基整流二极管
  • 供应MBR30100CT 100V30A 双肖特基整流二极管

品牌:SZXYL

型号:MBR30100CT 

封装:TO-220

电流:30A

电压:100V

产品简介 / Introduction
MBR30100CT TO-220 是一款专为中压高频场景设计的双共阴肖特基势垒整流器,采用 TO-220AB 封装,集成两颗独立芯片,适用于对高效能、高电流处理能力和快速开关特性要求严格的工业与消费电子领域。以下是其详细产品描述:

MBR30100CT TO-220的产品概述

MBR30100CT TO-220 基于硅基肖特基二极管技术,通过优化的芯片设计实现极低的正向压降和超快速开关响应。器件可承受30A 的平均正向电流(IF (AV))100V 的反向重复峰值电压(VRRM) ,适用于低压开关电源、储能逆变器、工业变频器等场景.

MBR30100CT TO-220的关键特性

  1. 高电流处理与高效能
    • 正向压降(VF):不同厂商在不同测试条件下表现差异显著。例如,ASEMI 的 MBR30100CT 在 15A 时 VF 为 0.8V,扬杰科技在 15A 时 VF 为 0.8V,而 Diotec 在 15A 时 VF 为 0.85V。显著降低导通损耗,提升能效。
    • 反向恢复时间(Trr):极短(<5ns,如 ASEMI),几乎无反向电流拖尾,支持 100kHz 以上的高频电路,尤其适用于同步整流器和 PWM 脉宽调制器。部分厂商(如 Diotec)未明确标注 Trr,需注意测试条件差异。
    • 高浪涌电流能力(IFSM):适应瞬时过载场景,ASEMI 为 275A(8.3ms 单脉冲),扬杰为 250A,Diotec 为 170A,不同厂商测试条件差异需参考具体 datasheet。
  2. 高可靠性与宽温性能
    • 宽工作温度范围:-65°C 至 + 175°C(如 ASEMI、扬杰),适应严苛工业环境与高温操作。
    • 阻燃标准:符合 UL 94 V-0 阻燃标准(如强茂),确保安全运行。
    • 低反向漏电流(IR):在 25°C 时,典型值≤50~150μA(VRRM=100V);高温下可能增至 20mA,提升长期稳定性。
  3. 封装与散热优势
    • TO-220AB 全塑封装:3 引脚单列直插,支持直接安装在散热器上,无需额外绝缘垫,降低设计复杂度与成本。引脚表面镀雾锡(Sn),符合 J-STD-002 可焊性标准,耐 260°C 波峰焊。
    • 紧凑尺寸:本体长度 10.54mm,宽度 4.70mm,高度 18.25mm(如 MDD 型号),适配高密度电路板,兼容标准 TO-220 散热器。

MBR30100CT TO-220的技术参数(参考 ASEMI、扬杰、Diotec 及行业标准)

参数 典型值 / 范围 单位 测试条件
反向重复峰值电压 100 V -
平均正向电流 30 A Tj=100°C
正向浪涌电流 170~275 A 8.3ms 单脉冲,Tj=25°C
反向恢复时间 <5~500 ns IF=1A,IR=0.25A
正向压降 0.70~0.85 V IF=15A,Tj=25°C
反向漏电流 ≤50~150 μA VRRM=100V,Tj=25°C
工作结温范围 -65 ~ +175 °C -
存储温度范围 -65 ~ +175 °C -
结电容 320~700 pF VR=0V,1MHz


MBR30100CT TO-220的典型应用

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