MBR10200CT TO-220 是一款专为高压高频电路设计的肖特基势垒整流器，采用 TO-220AB 封装，内部集成两颗共阴结构的二极管芯片，适用于对低功耗、快速开关和高可靠性要求严格的工业与消费电子领域。
MBR10200CT TO-220的产品概述
MBR10200CT TO-220 基于硅基肖特基二极管技术，通过优化的芯片设计实现极低的正向压降和超快速开关响应。器件可承受10A 的平均正向电流（IF (AV)）和200V 的反向重复峰值电压（VRRM），适用于高压开关电源、电动汽车充电器、工业逆变器等场景。
MBR10200CT TO-220的关键特性
超低功耗与高效能
正向压降，显著降低导通损耗，提升能效。
反向恢复时间极短，几乎无反向电流拖尾，支持 100kHz 以上的高频电路，尤其适用于同步整流器和 PWM 脉宽调制器。
高浪涌电流能力，适应瞬时过载场景
高可靠性与宽温性能
宽工作温度范围，适应严苛工业环境与高温操作
符合 UL 94 V-0 阻燃标准，确保安全运行。
低反向漏电流，提升长期稳定性。
封装与散热优势
TO-220AB 全塑封装，支持直接安装在散热器上，无需额外绝缘垫，降低设计复杂度与成本。引脚表面镀雾锡（Sn），符合 J-STD-002 可焊性标准，耐 260?C 波峰焊。
封装尺寸紧凑，适配高密度电路板。例如，ASEMI 的本体高度为 15.00mm，宽度为 10.16mm，厚度为 4.57mm。
MBR10200CT TO-220的技术参数
参数 典型值 / 范围 单位 测试条件
反向重复峰值电压 200 V -
平均正向电流 10 A Tj=100?C
正向浪涌电流 120~150 A 8.3ms 单脉冲，Tj=25?C
反向恢复时间 <5~10 ns IF=1A，IR=0.25A
正向压降 0.63~0.98 V IF=10A，Tj=25?C
反向漏电流 ≤100 ?A VRRM=200V，Tj=25?C
工作结温范围 -65 ~ %2B175 ?C -
存储温度范围 -65 ~ %2B175 ?C -
结电容 300~500 pF VR=0V，1MHz
MBR10200CT TO-220的典型应用
高压开关电源：AC/DC 转换器、服务器电源的同步整流与续流，支持宽输入电压（48V/100V/200V），尤其适用于对效率要求高的中小功率模块。
电动汽车充电器：车载充电器、充电桩的高效整流，减少充电损耗，提升电池寿命。
工业逆变器：变频器、太阳能逆变器的快速开关与反向保护，降低电机启停时的电压尖峰。
储能系统：电池组的充放电管理，支持高频切换与高可靠性要求。

消费电子：高端笔记本电脑适配器、LED 照明电源的高频整流，支持紧凑设计与低功耗需求。