BSS138 
一、产品概述
BSS138 SOT - 23 是一款高性能 N 沟道增强型场效应晶体管，
二、he心电气参数
（一）电压参数
漏源电压：它的漏源电压（VDS）额定值高达 50V 。
栅源电压：其栅源电压（VGS）工作范围为 ?20V 。
（二）电流参数
连续漏极电流：在环境温度 TA = 25℃的标准条件下，它 能够持续稳定地承载 220mA 的漏极电流（ID）；当环境温度升高至 TA = 70℃时，依然能够维持 176mA 的漏极电流 。
脉冲漏极电流：在应对瞬间电流冲击方面，它表现出色，脉冲漏极电流（ID,pulse）在 TA = 25℃时可达 1.5A 。这意味着在电路启动瞬间、负载突变等产生脉冲电流的情况下，器件能够有效承受大电流冲击，保障电路的正常运行，极大地提高了电路系统的抗干扰能力和可靠性。
（三）电阻参数
导通电阻：当栅源电压 VGS = 10V ，漏极电流 ID = 220mA 时，漏源导通电阻（RDS (on)）的典型值低至 3.5Ω ；即使在不同的工作条件下，其导通电阻zui大值也能控制在相对较低的水平。低导通电阻特性使得 BSS138 在导通状态下的功率损耗显著降低，大大提高了电路的能源利用效率，减少了发热现象，延长了器件的使用寿命。
（四）其他关键参数
阈值电压：它的栅源阈值电压（VGS (th)）典型值为 1.3V 。
栅极电荷：栅极电荷（Qg）是衡量 MOSFET 开关性能的重要参数，BSS138 的 Qg 典型值为 1.2nC 。
输入电容：输入电容（Ciss）在 VDS = 15V 时的典型值为 27pF 。
工作温度范围：它具备出色的温度适应性，工作结温（Tj）范围为 - 55℃至 %2B 150℃ ，存储温度（Tstg）范围同样为 - 55℃至 %2B 150℃ 。
三、产品特性
（一）低功耗设计
低导通电阻降低功耗：它 极低的漏源导通电阻 RDS (on) 使得在导通状态下，器件自身的功率损耗极小
低栅极驱动功耗：该器件对栅极驱动信号的要求较低，只需较小的驱动电流和电压即可实现导通和关断控制，这进一步降低了驱动电路的功耗。
（二）快速开关特性
高速开关响应：它拥有极快的开关速度，其开通延迟时间（td (on)）典型值为 5ns ，上升时间（tr）典型值为 18ns ，关断延迟时间（td (off)）典型值为 36ns ，下降时间（tf）典型值为 14ns 。
适合高频应用：由于其出色的快速开关特性，BSS138 非常适合在高频电路中应用。
（三）高可靠性
坚固的内部结构
严格的质量管控
（四）静电防护能力
ESD 保护设计：它 在设计上充分考虑了静电防护问题，具备一定的静电释放（ESD）保护能力。
（一）消费电子领域
手机和平板电脑的电源管理
智能家居设备的信号处理与控制
（二）工业控制领域
小型电机驱动与调速
工业传感器信号调理
（三）汽车电子领域

汽车照明系统控制