BAS116he心参数与特性

• 结构设计：单硅二极管配置，引脚 1 为阳极（Anode），引脚 3 为阴极（Cathode），引脚 2 为空脚（NC）。这种设计支持单向信号整流、?85V 浪涌防护及中速开关，适合高密度 PCB 布局。
• 电气性能：
  • 反向重复峰值电压（VRRM）：80V至85V，覆盖中低压电路的浪涌防护需求。
  • 正向平均电流（IF (AV)）：215mA至500mA，峰值正向电流（IFSM）达 4A（脉冲宽度 1μs），适合耗负载切换。
  • 正向压降（VF）：≤1.25V@150mA，典型值为 1.2V@100mA，确保低导通损耗。
  • 反向恢复时间（trr）：0.8μs至3μs，支持中速信号处理，优于普通整流二极管。
  • 反向漏电流（IR）：≤5nA@75V，低至3pA@75V，显著降低待机功耗。
  • 结电容（Cj）：2pF@0V/1MHz，确保中高频信号完整性。
  • 功率耗散（Pd）：150mW至250mW，需在 PCB 设计中合理分配散热面积。

BAS116典型应用

1. 消费电子：
   • 锂电池充放电电路：利用低漏电流特性（3pA@75V），在纽扣电池与外部电源切换时防止电流倒灌，确保 BMS（电池管理系统）稳定运行。
   • 低功耗防拆报警装置：在休眠模式下，反向漏电流可降至 60nA 以下，延长电池寿命达两年以上。
   • LED 驱动电路：单向整流保护，防止感性负载产生的电压尖峰损坏驱动芯片。
2. 通信设备：
   • 中低速信号切换：在 10kHz 以下频段实现信号单向传输，结电容 2pF 确保低插入损耗，适用于基站电源管理模块。
   • 射频 PA 保护：与 TVS 二极管并联，抑制高功率射频信号反射引起的电压波动。
3. 工业控制：
   • 传感器接口保护：保护 4-20mA 电流环免受静电放电（ESD）干扰，支持 IEC 61000-4-2 接触放电 ?8kV。
   • 电机驱动电路：续流二极管与 IGBT 并联，抑制反向电动势，保护工业电机控制器。
   • 高压检测设备：在盖革计数器等电离辐射计量设备中，用于高压生成电路的信号整流。
4. 电源管理：
   • DC-DC 转换器同步整流：在 80V 输入电压的降压电路中，实现快速开关与低导通损耗的平衡。
   • 多路电源切换：在超级电容与锂电池的供电系统中，防止电流倒流，确保平滑切换。
   • 电压箝位：在 AC/DC 适配器输出端实现单向过压保护，限制电压波动范围。

BAS116差异化优势

• 低泄漏电流优化：3pA@75V 的反向漏电流显著降低待机功耗，适合可穿戴设备和物联网传感器。
• 中速开关能力：0.8-3μs 反向恢复时间支持中速信号处理，比 BAV70（70-100V）更适合工业和汽车电源系统。
• 单二极管结构：简化电路布局，例如在锂电池保护电路中可直接实现单向隔离。
• 汽车级ren证：通过 AEC-Q101 ren证，满足汽车电子高可靠性要求。
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