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供应DTB143T SOT-23 PNP 带阻三极管

DTB143T产品概述

DTB143T 是集成基极分压电阻的 PNP 型晶体管,采用 SOT-23-3 封装,内置4.7kΩ 基极串联电阻(R1)4.7kΩ 基极 - 发射极并联电阻(R2),形成固定偏置网络,可直接与逻辑信号接口,显著简化电路设计复杂度。其集电极电流(Ic)可达500mA,集电极 - 发射极电压(VCEO)为40V,适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景,广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。

DTB143The心特性

  1. 高集成度与精准偏置
    内置 4.7kΩ/4.7kΩ 基极分压电阻网络(R1=4.7kΩ,R2=4.7kΩ),无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号,显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益(hFE)zui小值为100(@50mA, 5V),适用于需要稳定放大倍数的信号放大或驱动场景。
  2. 宽工作范围与可靠性
    • 集电极 - 发射极电压(VCEO):40V
    • 集电极电流(Ic):500mA(连续)
    • 工作温度范围:-55℃至 150℃,适应极端环境下的长期运行。
    • 采用先进半导体工艺,集电极 - 发射极饱和电压(VCE (sat))低至0.3V(@50mA 集电极电流),确保高效信号传输。
    • 集电极截止电流(ICEO)仅500nA,有效降低漏电流干扰;发射极 - 基极截止电流(IEBO)为0.1mA,需在电路设计中关注漏电流控制。
  3. 宽输入电压兼容性
    支持 1.54V 至 3.6V 的逻辑电平输入(基于基极电阻分压网络推导,典型 VBE=0.7V 时输入电压需≥1.4V),可直接匹配 TTL/CMOS 逻辑信号,适用于复杂信号接口场景。
  4. 环保与安全ren证

    产品符合 RoHS 标准,确保生产和使用过程中不含有害物质(如铅、汞、镉等),满足欧盟及quan球环保法规要求。


  5. 技术参数(典型值)

    参数 符号 标准型(DTB143T) 单位
    集电极 - 发射极电压 VCEO 40 V
    集电极电流 Ic 500 mA
    基极 - 发射极电压 VBE 0.7 V
    直流电流增益 hFE ≥100(zui小值) -
    集电极 - 发射极饱和电压 VCE(sat) 0.3 V
    工作温度范围 Tj -55~ 150
    封装尺寸(长 ? 宽 ? 高) - 2.9?1.65?1.10 mm
    内置基极电阻 R1 4.7kΩ -
    内置基极 - 发射极电阻 R2 4.7kΩ -
    功率耗散 Pd 200(TA=25℃) mW
    集电极截止电流 ICEO ≤500 nA
    发射极 - 基极截止电流 IEBO ≤0.1 mA
    输入电压范围 Vin 1.54~3.6 V
    过渡频率 Ft 200 MHz



典型应用

封装与引脚定义

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